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IRLR8503
PD-93839C
IRLR8503
?
?
?
?
N-Channel Application-Specific MOSFET
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Low Conduction Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high current
HEXFET ? MOSFET for DC-DC Converters
D
applications
? 100% R G Tested
Description
This new device employs advanced HEXFET Power
MOSFET technology to achieve very low on-resistance.
G
The reduced conduction losses makes it ideal for high
efficiency DC-DC converters that power the latest
generation of microprocessors.
S
D-Pak
The IRLR8503 has been optimized and is 100% tested for
all parameters that are critical in synchronous buck
converters including R DS(on) , gate charge and Cdv/dt-
induced turn-on immunity. The IRLR8503 offers an
extremely low combination of Q sw & R DS(on) for reduced
losses in control FET applications.
DEVICE RATINGS (MAX. Values)
IRLR8503
V DS 30V
R DS(on) 18 m ?
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB
mount application.
Absolute Maximum Ratings
Q G
Q SW
Q OSS
20 nC
8 nC
29.5 nC
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
IRLR8503
30
±20
Units
V
Continuous Drain or Source Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current
T C = 25°C
T C = 90°C
T C = 25°C
T C = 90°C
I D
I DM
P D
T J , T STG
I S
I SM
44
32
196
62
30
-55 to 150
15
196
A
W
°C
A
Thermal Resistance
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Lead
Symbol
R θ JA
R θ JL
Typ
–––
–––
Max
50
2.0
Units
°C/W
www.irf.com
1
5/26/05
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